縦型有機トランジスタ

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：瀧野秀雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-159138
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006476
出願日： 2002年05月31日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】高い動作速度と大電力化とを可能にすると共に、再現性良く大量に生産できるようにした縦型有機トランジスタを低コストで提供する。【解決手段】ソース電極2、第一の有機半導体層3、櫛状又はメッシュ状のゲート電極4、第二の有機半導体層5、及び、ドレイン電極6を順次有する縦型有機トランジスタにおいて、前記第一の有機半導体層3と前記第二の有機半導体層5との界面に電位障壁を形成するように、前記第一の有機半導体層3及び前記第二の有機半導体層5を互いに異なった有機半導体材料で構成する。前記「電位障壁」は、有機半導体材料のポテンシャルエネルギーの差によって生じる電位障壁であって、例えば、第一の有機半導体層3/第二の有機半導体層5を、それぞれ、同一の導電型の有機半導体材料で構成することによって形成することができるし、また、異なる導電型の有機半導体材料で構成することによっても形成することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ソース電極、第一の有機半導体層、櫛状又はメッシュ状のゲート電極、第二の有機半導体層、及び、ドレイン電極を順次有する縦型有機トランジスタにおいて、前記第一の有機半導体層と前記第二の有機半導体層との界面に電位障壁を形成するように、前記第一の有機半導体層及び前記第二の有機半導体層を互いに異なった有機半導体材料で構成したことを特徴とする縦型有機トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L29/80 , H01L21/28 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L51/00

FI (6件)：

H01L29/80 V , H01L21/28 301B , H01L29/58 Z , H01L29/50 J , H01L29/44 P , H01L29/28

Fターム (36件)：

4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104FF01 , 4M104FF11 , 4M104GG12 , 5F102FA00 , 5F102FA02 , 5F102FB01 , 5F102GB02 , 5F102GB04 , 5F102GC08 , 5F102GD01 , 5F102GJ10 , 5F102GL00 , 5F102GL08 , 5F102GS09 , 5F102GS10 , 5F102GT01 , 5F102GT02 , 5F102GT03 , 5F102HC11 , 5F102HC30

引用特許：

審査官引用 (6件)

有機薄膜半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-058537 出願人：パイオニア株式会社
有機エレクトロルミネセンスユニット
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-099939 出願人：パイオニア株式会社
有機薄膜トランジスタ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-345004 出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション

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