特許
J-GLOBAL ID：200903013346976411

貼り合わせSOI基板の製造方法及びこれに用いる保護剤塗布装置

発明者：
津田 修平

津田 修平 について


出願人/特許権者：
住友シチックス株式会社

住友シチックス株式会社 について


代理人 (1件)： 森 正澄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-226277
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067701
出願日： 1997年08月22日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【目的】 研削時の貼り合わせSOIウエーハの割れや欠けを防止するとともに、SOIウエーハの汚染を低減し、良品を得る率を増大する貼り合わせSOIウエーハを得ること。【構成】 第1の半導体ウエーハ1及び第2の半導体ウエーハ2の一方もしくは双方に誘電体層5を有するとともに、これら半導体ウエーハの鏡面同士を密着させ酸化性雰囲気内で熱処理接着する工程と、前記第1の半導体ウエーハの周縁部を、前記第2の半導体ウエーハにダメージが達しない厚みまで研削する工程と、を備え、前記第1の半導体ウエーハの周縁部を研削する際に、第1及び第2の半導体ウエーハの周縁部にワックス等の保護剤7を塗布することによって接着半導体ウエーハを保護し、研削時のウエーハの割れや欠け等の発生を防止した貼り合わせSOIウエーハの製造方法及びこれに用いる保護剤塗布装置12である。
請求項（抜粋）：
第1の半導体ウエーハ及び第2の半導体ウエーハの一方もしくは双方に誘電体層を有するとともに、これら半導体ウエーハの鏡面同士を密着させ酸化性雰囲気中で熱処理により接着する工程と、前記第1の半導体ウエーハの周縁部を、前記第2の半導体ウエーハにダメージが達しない厚みまで研削する工程と、を備え、前記第1の半導体ウエーハの周縁部を研削する際に、第1の半導体ウエーハ及び第2の半導体ウエーハの周縁部に保護剤を塗布することを特徴とする貼り合わせSOI基板の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 301 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12
FI (5件)：
H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 A ,  H01L 21/304 301 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 27/12 B
引用特許：
審査官引用 (5件)
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