特許
J-GLOBAL ID：200903072180146217
貼り合わせSOI基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 正澄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-164337
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017984
出願日： 1995年06月29日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：
【要約】【目的】 ウエーハの直径を減じることなく作成でき、外周研削部を容易に鏡面状態にもたらすことができ、しかも完成した貼り合わせSOI基板の反りを可及的に押えることの可能な貼り合わせSOI基板の製造方法をを提供すること。【構成】 デバイス面となる第1の半導体ウエーハ1及び支持体となる第2の半導体ウエーハ2の一方もしくは双方に誘電体層5を有し、これら半導体ウエーハの鏡面同士を密着させ酸化性雰囲気内での熱処理により接着する工程と、第1の半導体ウエーハ1の周縁部を、第2の半導体ウエーハ2にダメージが達しない厚みまで研削する工程と、エッチング液により、酸化性雰囲気内で形成された前記第2の半導体ウエーハ周縁部の酸化膜6を露出させる工程と、を備え、前記エッチングに使用するエッチング液が、エチレンジアミン,ピロカテコール及び水の混合液、又は、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液であること。
請求項（抜粋）：
デバイス面となる第1の半導体ウエーハ及び支持体となる第2の半導体ウエーハの一方もしくは双方に誘電体層を有するとともに、これら半導体ウエーハの鏡面同士を密着させ酸化性雰囲気内での熱処理により接着する工程と、前記第1の半導体ウエーハの周縁部を、前記第2の半導体ウエーハにダメージが達しない厚みまで研削する工程と、酸化膜に対するエッチング速度に比べて半導体ウエーハのエッチング速度が大きいエッチング液により、酸化性雰囲気内で形成された前記第2の半導体ウエーハ周縁部の酸化膜を露出させる工程と、を備え、前記エッチングに使用するエッチング液が、エチレンジアミン,ピロカテコール及び水の混合液、又は、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液であることを特徴とする貼り合わせSOIの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/12
, H01L 21/02
, H01L 21/304 321
, H01L 21/308
H01L 27/12 B
, H01L 21/02 B
, H01L 21/304 321 S
, H01L 21/308 G
