フォトレジスト用単量体とその製造方法、フォトレジスト用共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターン形成方法、及び半導体素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：荒船博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-246940
公開番号（公開出願番号）：特開2001-122927
出願日： 2000年08月16日
公開日（公表日）： 2001年05月08日
要約：

【要約】【課題】遠紫外線領域で用いることができ、露光後熱処理遅延安定性に優れたフォトレジスト用共重合体含むフォトレジスト組成物を提供する。【解決手段】下記式(1)の単量体を有する重合体を含む本発明のフォトレジスト組成物は優れたエッチング耐性及び耐熱性を有し、遠紫外線領域、特にArF用レジストの露光後遅延安定性(post exposure delay stability)を画期的に向上させることができる。【化1】前記式で、Z1、Z2、R1、R2、R3、R4、R5、Z及びpは明細書に定義した通りである。

請求項（抜粋）：

下記式(1)で示される化合物であることを特徴とするフォトレジスト用単量体。【化1】前記式で、Z1及びZ2はCH2、CH2CH2、O又はSであり、R1及びR2は置換又は非置換された炭素数C1〜C5の主鎖又は側鎖アルキルであり、R3及びR4は水素であるか、置換又は非置換された炭素数C1〜C5の主鎖又は側鎖アルキルであり、R5は水素又はメチルであり、pは0〜5の中から選択される整数である。

IPC (14件)：

C08F232/00 , C07C 41/56 , C07C 43/305 , C08F 2/06 , C08F 4/04 , C08F 4/34 , C08F222/06 , C08F234/00 , C08K 5/00 , C08K 5/04 , C08L 45/00 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027 , C07B 61/00 300

FI (14件)：

C08F232/00 , C07C 41/56 , C07C 43/305 , C08F 2/06 , C08F 4/04 , C08F 4/34 , C08F222/06 , C08F234/00 , C08K 5/00 , C08K 5/04 , C08L 45/00 , G03F 7/039 601 , C07B 61/00 300 , H01L 21/30 502 R

引用特許：

出願人引用 (4件)

特表平2-500750
酸不安定ペンダント基を持つ多環式ポリマーからなるフォトレジスト組成物
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-532033 出願人：ザビー.エフ.グッドリッチカンパニー
感放射線性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-074717 出願人：ジェイエスアール株式会社

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審査官引用 (5件)

特表平2-500750
特表平2-500750
酸不安定ペンダント基を持つ多環式ポリマーからなるフォトレジスト組成物
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-532033 出願人：ザビー.エフ.グッドリッチカンパニー

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