特許
J-GLOBAL ID：200903013385802137
半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-085487
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284283
出願日： 1998年03月31日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】 光強度分布が均一な超高出力半導体レーザを再現性よく実現する。【解決手段】 アレイ状ストライプの端面近傍をフレア状に広げ光り結合させるとともに、フレア基部と通常幅のストライプの間に階段状にストライプ幅が変化する部分を設ける。【効果】 フレア構造により端面破壊レベルを向上するとともに、フレア構造により発生する高次横モードの発生を抑制し、発光均一性を向上するとともに動作電流を低減できる。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上部に直接遷移型の半導体結晶からなる活性層並びに該活性層を挟むように形成された活性層より広い禁制帯幅を有し且つ互いに異なる導電型を有する半導体結晶からなる2種類のクラッド層を含む積層構造を有し、該積層構造の端面の結晶面を反射鏡として共振器を構成する半導体レーザにおいて、上記反射鏡をなす結晶面間を結ぶ方向に延伸する複数のストライプ状導波路が並列に形成され、該ストライプ状導波路の夫々には共振器内部から上記反射鏡の少なくとも一方に向けて、第1のストライプ幅を有する第1領域、該第1領域と光学的に結合し且つ第1のストライプ幅より広く且つ少なくとも部分的に上記反射鏡の一方に向けて拡がる第2のストライプ幅を有する第2領域、該第2領域と光学的に結合し且つ隣接するストライプ状導波路と光学的に結合する第3領域がこの順に設けられていることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
出願人引用 (9件)
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特開昭64-061084
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特開昭62-062579
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特開昭56-069881
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