特許

J-GLOBAL ID：200903013409174655

配線基板及びその製造方法

発明者： 川井 信也 ,  東 登志文
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
代理人 (2件)： 小野 尚純 ,  奥貫 佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-321749
公開番号（公開出願番号）：特開2005-093533
出願日： 2003年09月12日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：

【課題】平滑な表面を有し、微細、低抵抗、均一な厚み、高い接着強度を有する薄膜配線導体層を形成し、かつ低い熱膨張係数と低い誘電率を有する絶縁基板を備えた配線基板を提供する。【解決手段】Si、Al、Mg、B、Oを構成元素として含有し、結晶相として少なくともコーディエライト結晶相を含有し、かつ該焼結体の開気孔率が0.3%以下である該絶縁基板の表面に薄膜配線導体層を形成する。【選択図】 図1。

請求項（抜粋）：

絶縁基板と、その表面に配設された薄膜配線導体層とを具備してなる配線基板において、前記絶縁基板は、構成元素として少なくともSi、Al、Mg、B及びOを含有し、結晶相としてコーディエライト結晶相を含有し、且つ0.3%以下の開気孔を有している焼結体から形成されており、前記薄膜配線導体層は、Cu、Au、Ag及びAlの群から選ばれる少なくとも1種の導体を含有していることを特徴とする配線基板。

IPC (4件)：

H05K1/03 ,  C04B35/195 ,  H05K3/38 ,  H05K3/46

FI (5件)：

H05K1/03 610D ,  H05K3/38 A ,  H05K3/46 H ,  H05K3/46 T ,  C04B35/16 A

Fターム (41件)：

4G030AA01 ,  4G030AA07 ,  4G030AA08 ,  4G030AA09 ,  4G030AA10 ,  4G030AA17 ,  4G030AA32 ,  4G030AA35 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030AA40 ,  4G030BA09 ,  4G030CA01 ,  4G030CA08 ,  4G030GA01 ,  4G030GA04 ,  4G030GA11 ,  4G030GA14 ,  4G030GA17 ,  4G030GA20 ,  4G030GA24 ,  4G030GA27 ,  5E343AA24 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB25 ,  5E343EE33 ,  5E343ER35 ,  5E343FF23 ,  5E343GG13 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346CC18 ,  5E346CC32 ,  5E346CC38 ,  5E346CC39 ,  5E346DD13 ,  5E346EE23 ,  5E346EE27 ,  5E346EE29 ,  5E346HH06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 低温焼成セラミックス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-328380   出願人：京セラ株式会社

審査官引用 (4件)

• 低温焼成基板用組成物およびそれから得られる基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-213401   出願人：山村硝子株式会社, 京セラ株式会社
• 低温焼成磁器およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-364763   出願人：京セラ株式会社
• 容量素子付き回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-185294   出願人：京セラ株式会社
• 特開昭58-095643