特許
J-GLOBAL ID：200903013433255950

積層体およびその製造方法

発明者：
井本 晃

井本 晃 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-149387
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340634
出願日： 1998年05月29日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】回路上の干渉を防止でき、小型化を達成できるとともに、所望の特性を容易に得ることができる積層体およびその製造方法を提供する。【解決手段】セラミック絶縁層1を複数積層してなるとともに、セラミック絶縁層1間に導体6を有する絶縁体2の収容凹部3に、抵抗体、コンデンサおよびインダクタのうち少なくとも一種の機能を有する機能ブロック7が収容され、かつ該機能ブロック7と絶縁体2の収容凹部3内壁面との間にセラミックス8が充填されているものである。
請求項（抜粋）：
セラミック絶縁層を複数積層してなるとともに、前記セラミック絶縁層間に導体を有する絶縁体の収容凹部に、抵抗体、コンデンサおよびインダクタのうち少なくとも一種の機能を有する機能ブロックが収容され、かつ該機能ブロックと前記絶縁体の収容凹部内壁面との間にセラミックスが充填されていることを特徴とする積層体。
FI (2件)：
H05K 3/46 Q ,  H05K 3/46 H
引用特許：
審査官引用 (4件)
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