特許
J-GLOBAL ID：200903013457053487

半導体装置とその製造方法

発明者：
鈴木 健之

鈴木 健之 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-293990
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144916
出願日： 1996年11月06日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：
【要約】【課題】 製造工程の負担の少ない新規なチャネルストッパ構造を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 基板中央のセル領域に二重拡散型絶縁ゲートトランジスタを形成する際、基板周縁部に上記セル領域の外周囲を囲むリング状の電極と、この電極をマスクとしてイオン注入を行い、薄い絶縁膜下に自己整合的に二重拡散層を形成する。上記電極は、セル領域のトランジスタのドレイン電極と同電位となるよう、他の電極に接続する。セル領域の半導体セルの動作時において、上記絶縁膜を介して上記電極に対面する不純物拡散層の表面領域には、反転層が形成され、単層の不純物拡散層で形成される従来のチャネルストッパ構造と同等な効果をもって、基板周縁部に達そうとする空乏層の拡がりを抑制し、半導体装置の耐圧特性を安定化させることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板の下面に形成される第1電極と、前記半導体基板の上面に形成される第1導電型の半導体層と、前記半導体層および前記半導体基板のセル領域に形成される1または複数の半導体セルと、前記半導体層の表面領域に形成され、前記セル領域を囲むリング状の平面形状を有する第2導電型の第1不純物拡散層と、前記第1不純物拡散層の表面領域の外周縁に形成され、前記セル領域を囲むリング状の平面形状を有する第1導電型の第2不純物拡散層と、前記セル領域を囲むリング状の平面形状を有し、少なくとも前記第1不純物拡散層の露出表面を覆う、第1絶縁膜と、前記セル領域を囲むリング状の平面形状を有し、前記第1絶縁膜を挟んで少なくとも前記第1不純物拡散層の露出表面上に形成される、第2電極と、前記第2不純物拡散層と前記第2電極とを電気的に接続する第3電極とを有する半導体装置。
FI (3件)：
H01L 29/78 652 N ,  H01L 29/78 301 D ,  H01L 29/78 655 F
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM