特許
J-GLOBAL ID：200903013476498473
半導体レーザ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-299211
公開番号（公開出願番号）：特開2007-109886
出願日： 2005年10月13日
公開日（公表日）： 2007年04月26日
要約：
【課題】水平横モードが安定化され、光出力におけるキンクが抑制されたリッジ導波路型半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】活性層と、前記活性層上に設けられ、ストライプ状導波路を構成するリッジ部と、前記リッジ部の両側に隣接する非リッジ部と、を有する第1導電型のクラッド層と、前記リッジ部の側面と前記非リッジ部の上面とを覆う絶縁膜と、前記リッジ部の上と、前記非リッジ部の上面を覆う前記絶縁膜の上と、に少なくとも設けられた第1電極と、前記第1電極の上に設けられたパッド電極と、を備え、前記リッジ部の上と前記非リッジ部の上との間には、前記第1電極が存在しない空隙部が設けられたことを特徴とする半導体レーザ装置が提供される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
活性層と、
前記活性層上に設けられ、ストライプ状導波路を構成するリッジ部と、前記リッジ部の両側に隣接する非リッジ部と、を有する第1導電型のクラッド層と、
前記リッジ部の側面と前記非リッジ部の上面とを覆う絶縁膜と、
前記リッジ部の上と、前記非リッジ部の上面を覆う前記絶縁膜の上と、に少なくとも設けられた第1電極と、
前記第1電極の上に設けられたパッド電極と、
を備え、
前記リッジ部の上と前記非リッジ部の上との間には、前記第1電極が存在しない空隙部が設けられたことを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F173AA08
, 5F173AH22
, 5F173AK21
, 5F173AP05
, 5F173AP44
, 5F173AP75
, 5F173AR33
, 5F173AR75
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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