特許
J-GLOBAL ID:200903013488126490
電極パターンの形成方法及び光電池モジュール
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
三枝 英二
, 掛樋 悠路
, 眞下 晋一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-245520
公開番号(公開出願番号):特開2007-056345
出願日: 2005年08月26日
公開日(公表日): 2007年03月08日
要約:
【課題】 量産性に優れる電極パターンの形成方法を提供する。 【解決手段】 ホットメルト層8が金属材料からなる被覆層4により覆われ、表裏面を貫通する主電極形成用開口部12aを有する主電極形成マスク10aを用いて、基板20上に電極パターン22aを形成する方法であって、主電極形成マスク10aを、ホットメルト層8を介して基板20の表面に熱圧着する工程と、主電極形成用開口部12aを介して導電性蒸着材料の物理的蒸着を行うことにより、基板20上に主電極パターン22aを形成する工程と、前記主電極形成マスクを剥離する工程とを備える。 【選択図】 図1
請求項(抜粋):
ホットメルト層が金属材料からなる被覆層により覆われ、表裏面を貫通する主電極形成用開口部を有する主電極形成マスクを用いて、基板上に電極パターンを形成する方法であって、
前記主電極形成マスクを、前記ホットメルト層を介して基板の表面に熱圧着する工程と、
前記主電極形成用開口部を介して導電性蒸着材料の物理的蒸着を行うことにより、前記基板上に主電極パターンを形成する工程と、
前記主電極形成マスクを剥離する工程とを備える電極パターンの形成方法。
IPC (3件):
C23C 14/04
, H01M 14/00
, H01L 31/04
FI (3件):
C23C14/04 A
, H01M14/00 P
, H01L31/04 Z
Fターム (29件):
4K029AA11
, 4K029AA24
, 4K029BA50
, 4K029BB03
, 4K029BC09
, 4K029CA01
, 4K029CA03
, 4K029CA05
, 4K029FA05
, 4K029GA05
, 4K029HA02
, 4K029HA03
, 5F051AA14
, 5F051CB30
, 5F051FA02
, 5F051FA04
, 5F051FA06
, 5F051GA03
, 5F051GA20
, 5H032AA06
, 5H032AS09
, 5H032AS10
, 5H032AS16
, 5H032BB05
, 5H032BB06
, 5H032BB10
, 5H032CC11
, 5H032EE04
, 5H032EE12
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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