酸化タンタル薄膜コンデンサ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-135364
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008400
出願日： 1994年06月17日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】本発明は、半導体集積回路あるいはマルチ・チップ・モジュールに用いる酸化タンタル薄膜コンデンサに関し、その目的は、450°C以上の熱処理による耐圧劣化の無いコンデンサを提供することにある。【構成】酸化タンタル2に接する上部電極1および下部電極3の材料に貴金属を用いた。【効果】本発明によれば、450°C以上の熱処理による耐圧劣化の無い酸化タンタル薄膜コンデンサを実現できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板もしくは半導体基板上に結晶成長した半導体層上に形成した、下部電極、酸化タンタル誘電体層、および上部電極からなる酸化タンタル薄膜コンデンサにおいて、上部電極および下部電極の酸化タンタルに接する部分に金、白金、パラジウム、銀等の酸化物生成自由エネルギーの大きな貴金属材料を用いることを特徴とする酸化タンタル薄膜コンデンサ。

IPC (7件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , C23C 14/14 , H01B 3/12 312 , H01G 4/33 , H01L 21/8242 , H01L 27/108

FI (3件)：

H01L 27/04 C , H01G 4/06 102 , H01L 27/10 325 J

引用特許：

審査官引用 (8件)

強誘電性メモリ回路の形成方法及び強誘電性コンデンサの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-035838 出願人：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション
LC回路の構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-186872 出願人：ローム株式会社
特開平4-245468

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