特許
J-GLOBAL ID:200903013600463098

樹脂モールド型半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-004544
公開番号(公開出願番号):特開平10-178137
出願日: 1997年01月14日
公開日(公表日): 1998年06月30日
要約:
【要約】【課題】 樹脂バリによる悪影響をなくし、品質および生産性の向上を図った樹脂モールド型半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 リードフレーム4の外縁に、金型2のランナー部16に対応する箇所をランナー部16よりも大きな幅で切欠いて凹部6を形成する。金型2に凹部6に嵌まる形状の凸部20を形成する。この凸部20をリードフレーム4の凹部6に嵌め込み、金型2に溶融樹脂を注入してパッケージ1001を形成した後、カル部樹脂2601を切り離すと、樹脂バリ28が凹部6の内側に収まる。
請求項(抜粋):
半導体素子が搭載されたリードフレームを金型でクランプし、金型のランナー部からリードフレーム側に溶融樹脂を注入し、前記半導体素子を樹脂モールドしてパッケージを形成する樹脂モールド型半導体装置の製造方法であって、前記リードフレームの外縁であって前記ランナー部が臨む箇所に、前記ランナー部よりも大きな幅を有して該リードフレームの内側に窪む凹部を形成し、前記金型に溶融樹脂を注入して半導体素子を樹脂モールドしたのち、前記ランナー部で硬化した樹脂を切り離すようにしたことを特徴とする樹脂モールド型半導体装置の製造方法。
IPC (2件):
H01L 23/50 ,  H01L 21/56
FI (2件):
H01L 23/50 G ,  H01L 21/56 H
引用特許:
審査官引用 (3件)

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