特許
J-GLOBAL ID：200903013688960347
歪測定方法と歪及び応力測定方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
宮井 暎夫
, 伊藤 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-398352
公開番号（公開出願番号）：特開2005-156478
出願日： 2003年11月28日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：
【課題】 半導体素子の極微細領域の歪および応力の空間分布を高精度に測定できる。【解決手段】 走査型顕微鏡のプローブチップ4を用いて半導体素子の応力を評価する評価領域3を走査し、半導体素子の評価領域3における表面あるいは断面の平行結晶面間の距離8,10及び直交結晶面間の角度11を測定する工程と、測定した平行結晶面間の距離8,10及び直交結晶面間の角度11と応力がない状態の平行結晶面間の距離及び直交結晶面間の角度から歪を算出する工程と、歪から応力を算出する工程とを含み、半導体素子の評価領域における歪及び応力の空間分布を求める。歪及び応力の空間分布から原子レベルすなわち0.1nm程度の空間分解能を持つ応力評価が可能であり、加工寸法0.1μm以下の微細な素子の応力評価を実現できる。また、垂直応力の絶対値だけでなく垂直応力の方向や、せん断応力の絶対値および方向をも評価することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
走査型顕微鏡のプローブチップを用いて半導体素子の応力を評価する評価領域を走査し、前記半導体素子の評価領域における表面あるいは断面の平行結晶面間の距離及び直交結晶面間の角度を測定する工程と、
前記測定した平行結晶面間の距離及び直交結晶面間の角度と応力がない状態の前記平行結晶面間の距離及び直交結晶面間の角度から歪を算出する工程とを含み、
前記半導体素子の評価領域における前記歪の空間分布を算出することを特徴とする歪測定方法。
IPC (5件)：
G01L1/00
, G01B21/32
, G01N13/10
, G01N13/12
, G01N13/16
G01L1/00 A
, G01B21/32
, G01N13/10 E
, G01N13/12 A
, G01N13/16 A
2F069AA60
, 2F069AA68
, 2F069BB15
, 2F069CC06
, 2F069DD30
, 2F069GG01
, 2F069KK10
, 2F069NN15
