特許
J-GLOBAL ID:200903013707069406

レジストパターンの形成方法及びプリント基板の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-128876
公開番号(公開出願番号):特開平9-311458
出願日: 1996年05月24日
公開日(公表日): 1997年12月02日
要約:
【要約】【課題】 可視光レーザーにて直接描画する方法において、現像工程での現像液、水洗水によるレジストパターンの物理的ダメージを防止する。【解決手段】 基板上の可視光レーザー感光型レジスト層に、パターン状に可視光レーザーを照射し、ついで現像、水洗を行ってレジストパターンを基板上に形成する方法において、25°Cの水100gに1g溶解させてなる水溶液のpHが3〜8である金属塩を、現像に使用する現像液及び/又は水洗水中に、該金属塩に基づく金属イオン量が重量基準で1ppm〜1%となる濃度にて混合、溶解させてなる現像液及び/又は水洗水を用いて、現像、水洗を行うことを特徴とするレジストパターンの形成方法、及びこの方法によって得られたレジストパターンを有する基板からのプリント基板の製造方法。
請求項(抜粋):
基板上の可視光レーザー感光型レジスト層に、パターン状に可視光レーザーを照射し、ついで現像、水洗を行ってレジストパターンを基板上に形成する方法において、25°Cの水100gに1g溶解させてなる水溶液のpHが3〜8である金属塩を、現像に使用する現像液及び/又は水洗水中に、該金属塩に基づく金属イオン量が重量基準で1ppm〜1%となる濃度にて混合、溶解させてなる現像液及び/又は水洗水を用いて、現像、水洗を行うことを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (4件):
G03F 7/32 ,  G03F 7/20 505 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/06
FI (5件):
G03F 7/32 ,  G03F 7/20 505 ,  H05K 3/00 G ,  H05K 3/06 G ,  H05K 3/06 F
引用特許:
審査官引用 (4件)
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