特許
J-GLOBAL ID:200903013716098664
高速剪断流による加工方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
柳野 隆生
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-347596
公開番号(公開出願番号):特開2000-167770
出願日: 1998年12月07日
公開日(公表日): 2000年06月20日
要約:
【要約】【課題】 回転体を用いずに、制御された範囲及び分布を有する一定の速度勾配以上の剪断流を被加工物表面に沿って発生させることによって、加工槽の小型化、加工液の有機汚染防止、流れの安定化を図り、更にギャップの制御が容易であり、加工液中の粗粒の影響による外乱がなく、高品質の加工を高能率で行うことが可能な高速剪断流による加工方法を提供する。【解決手段】 超純水を主体とした加工槽内に被加工物2と高圧力ノズル1とを所定の間隔を置いて配設し、被加工物の表面近傍に高圧力ノズルから噴射した超純水の高速剪断流を発生させるとともに、超純水の流れによって被加工物と化学的な反応性のある微粒子を被加工物表面に供給し、被加工物と化学結合した微粒子を高速剪断流にて取り除いて被加工物表面の原子を除去し、加工を進行させてなる。
請求項(抜粋):
超純水を主体とした加工槽内に被加工物と高圧力ノズルとを所定の間隔を置いて配設し、被加工物の表面近傍に高圧力ノズルから噴射した超純水の高速剪断流を発生させるとともに、超純水の流れによって被加工物と化学的な反応性のある微粒子を被加工物表面に供給し、被加工物と化学結合した微粒子を高速剪断流にて取り除いて被加工物表面の原子を除去し、加工を進行させてなることを特徴とする高速剪断流による加工方法。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (2件):
引用特許:
審査官引用 (7件)
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半導体装置の製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-029728
出願人:川崎製鉄株式会社
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微粉末の製造方法及びその装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-022059
出願人:株式会社ユーハ味覚糖精密工学研究所, 森勇藏
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高圧ジェット洗浄装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-275902
出願人:ソニー株式会社
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基板処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-088247
出願人:大日本スクリーン製造株式会社
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特開平1-183368
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特開昭63-011278
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特開昭63-207545
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