特許
J-GLOBAL ID：200903013725146230

半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器

発明者：
倉島 羊平

倉島 羊平 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-008761
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203229
出願日： 2000年01月18日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：
【要約】【課題】 電気的な接続信頼性を確保できる半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。【解決手段】 半導体装置は、複数の電極12を有し、各電極12にバンプ16が形成されてなる半導体チップ10と、絶縁層22に支持された導電層20と、を含み、バンプ16の少なくとも先端部は、導電層20に入り込んで配置され、バンプ16の側面と導電層20とが電気的に接続されてなる。
請求項（抜粋）：
複数の電極を有し、各電極にバンプが形成されてなる半導体チップと、絶縁層に支持された導電層と、を含み、前記バンプの少なくとも先端部は、前記導電層に入り込んで配置され、前記バンプの側面と前記導電層とが電気的に接続されてなる半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12 ,  H05K 3/32
FI (4件)：
H01L 21/60 311 S ,  H05K 3/32 B ,  H01L 21/92 602 G ,  H01L 23/12 L
Fターム (10件)：
5E319AA03 ,  5E319AB05 ,  5E319AC02 ,  5E319AC11 ,  5E319BB16 ,  5E319BB20 ,  5F044KK11 ,  5F044LL07 ,  5F044QQ02 ,  5F044RR18
引用特許：
審査官引用 (3件)

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