特許
J-GLOBAL ID:200903021910084979

半導体装置およびその製造方法並びに配線基板

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-037476
公開番号(公開出願番号):特開平10-233413
出願日: 1997年02月21日
公開日(公表日): 1998年09月02日
要約:
【要約】【課題】半導体ペレットと配線基板とを樹脂で接着しそれぞれに形成したバンプ電極とパッド電極とを重合させて圧接させた半導体装置では、樹脂にクラックを生じると重合での圧接力が低下して電気的接続が損なわれることがあった。【解決手段】多数のバンプ電極12を形成した半導体ペレット9と前記バンプ電極12に対応してパッド電極15を形成した配線基板13とを対向させ、バンプ電極12とパッド電極15とを重合させて加圧し、半導体ペレット9と配線基板13の対向面間を樹脂16にて接着したプリップチップ構造の半導体装置において、上記バンプ電極12とパッド電極15の重合部分に、バンプ電極12より径小でかつ互いに係合する凸部12b及び凹部15aをそれぞれ形成したことを特徴とする。
請求項(抜粋):
一主面上に多数のバンプ電極を形成した半導体ペレットと前記バンプ電極に対応してパッド電極を形成した配線基板とを対向させ、バンプ電極とパッド電極とを重合させて加圧し、半導体ペレットと配線基板の対向面間を樹脂にて接着したプリップチップ構造の半導体装置において、上記バンプ電極とパッド電極の重合部分に、バンプ電極より径小でかつ互いに係合する凸部及び凹部をそれぞれ形成したことを特徴とする半導体装置。
引用特許:
審査官引用 (8件)
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