有機半導体材料、有機トランジスタ、電界効果トランジスタ、スイッチング素子及び5員複素環化合物

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-016906
公開番号（公開出願番号）：特開2005-206750
出願日： 2004年01月26日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：

【課題】キャリア移動度が高く、保存性の優れた有機半導体材料、これを用いた有機トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子を提供することである。【解決手段】下記一般式(1)、(2)または(3)で示される部分構造を有する化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。【化1】(式中、A1〜A4は炭素原子、窒素原子、硫黄原子または酸素原子を表し、A5〜A16炭素原子または窒素原子を表し、一般式(1)、(2)または(3)で示される部分構造には置換基を有してもよい。但し、A1とA2により形成される5員環とA3とA4により形成される5員環は点対称の関係にある同一の構造である。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)、(2)または(3)で示される部分構造を有する化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。

IPC (5件)：

C08G61/12 , C07D495/04 , C07D519/00 , H01L29/786 , H01L51/00

FI (5件)：

C08G61/12 , C07D495/04 101 , C07D519/00 , H01L29/78 618B , H01L29/28

Fターム (62件)：

4C071AA01 , 4C071AA08 , 4C071BB01 , 4C071CC22 , 4C071EE13 , 4C071FF23 , 4C071JJ07 , 4C071LL10 , 4C072MM08 , 4C072MM10 , 4C072UU10 , 4J032BA03 , 4J032BA05 , 4J032BA07 , 4J032BA15 , 4J032BA20 , 4J032BB01 , 4J032BB04 , 4J032BB05 , 4J032BB06 , 5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110AA14 , 5F110AA16 , 5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (5件)

有機薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-215748 出願人：旭化成工業株式会社
ダイオード素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-316710 出願人：松下技研株式会社
αヘキサチエニールを含む製品
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-039190 出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・アイピーエム・コーポレーション

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