特許
J-GLOBAL ID:200903013775054972
ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法および高分子化合物
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
棚井 澄雄
, 志賀 正武
, 鈴木 三義
, 五十嵐 光永
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-027467
公開番号(公開出願番号):特開2009-223300
出願日: 2009年02月09日
公開日(公表日): 2009年10月01日
要約:
【課題】ポジ型レジスト組成物の基材成分として利用できる新規な高分子化合物、該高分子化合物を含有するポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分(A)が、一般式-CH2C(R1)-[-C(=O)-O-A-C(=O)-O-B-C(=O)-O-R2][式中、R1は水素原子、低級アルキル基またはハロゲン化低級アルキル基であり、Aは2価の連結基であり、Bは2価の連結基であり、R2は酸解離性溶解抑制基である。]で表される構成単位(a0)を有する高分子化合物(A1)を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【選択図】なし
請求項(抜粋):
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分(A)、および露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有するポジ型レジスト組成物であって、
前記基材成分(A)が、下記一般式(a0-1)で表される構成単位(a0)を有する高分子化合物(A1)を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (4件):
G03F 7/039
, G03F 7/004
, H01L 21/027
, C08F 20/28
FI (4件):
G03F7/039 601
, G03F7/004 501
, H01L21/30 502R
, C08F20/28
Fターム (32件):
2H025AA03
, 2H025AB14
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC05
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE07
, 2H025BF02
, 2H025BG00
, 2H025CC20
, 2H025DA34
, 2H025FA17
, 4J100AL08P
, 4J100AL08Q
, 4J100AL08R
, 4J100BA03R
, 4J100BA11Q
, 4J100BA15P
, 4J100BA15Q
, 4J100BA40R
, 4J100BB18R
, 4J100BC02P
, 4J100BC03P
, 4J100BC04P
, 4J100BC08R
, 4J100BC09P
, 4J100BC09R
, 4J100BC53Q
, 4J100CA05
, 4J100JA38
引用特許:
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