新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-219101
公開番号（公開出願番号）：特開2009-080474
出願日： 2008年08月28日
公開日（公表日）： 2009年04月16日
要約：

【解決手段】紫外線、遠紫外線、電子線、EUV、X線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線の高エネルギー線に感応し、下記一般式(1a)又は(1c)のいずれかで示されるスルホン酸を発生する化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤。R1-COOCH(CF3)CF2SO3- H+ (1a)R1-O-COOCH(CF3)CF2SO3- H+ (1c)(R1はステロイド骨格を有する炭素数20〜50の炭化水素基を示す。)【効果】本発明の光酸発生剤は、レジスト材料中の樹脂類との相溶性がよく、酸拡散制御を行うことができる。また、これらスルホン酸を発生する光酸発生剤はデバイス作製工程での塗布、露光前焼成、露光、露光後焼成、現像の工程に問題なく使用できる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

紫外線、遠紫外線、電子線、EUV、X線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線の高エネルギー線に感応し、下記一般式(1a)又は(1c)のいずれかで示されるスルホン酸を発生する化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤。 R1-COOCH(CF3)CF2SO3- H+ (1a) R1-O-COOCH(CF3)CF2SO3- H+ (1c) (式中、R1はステロイド骨格を有する炭素数20〜50の炭化水素基を示す。)

IPC (5件)：

G03F 7/004 , G03F 7/039 , G03F 7/075 , G03F 7/38 , H01L 21/027

FI (6件)：

G03F7/004 503A , G03F7/004 501 , G03F7/039 601 , G03F7/075 511 , G03F7/38 501 , H01L21/30 502R

Fターム (59件)：

2H025AA02 , 2H025AB16 , 2H025AC01 , 2H025AC04 , 2H025AC05 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BF02 , 2H025BF08 , 2H025BF11 , 2H025BF15 , 2H025BF29 , 2H025BF30 , 2H025BG00 , 2H025CC04 , 2H025CC20 , 2H025DA34 , 2H025FA17 , 2H096AA25 , 2H096BA06 , 2H096BA11 , 2H096CA06 , 2H096DA10 , 2H096EA02 , 2H096EA05 , 2H096EA06 , 2H096EA07 , 2H096GA09 , 4C091AA02 , 4C091BB01 , 4C091BB06 , 4C091CC01 , 4C091DD01 , 4C091EE05 , 4C091EE07 , 4C091FF01 , 4C091GG01 , 4C091GG02 , 4C091GG13 , 4C091HH01 , 4C091JJ03 , 4C091KK01 , 4C091LL01 , 4C091LL02 , 4C091LL09 , 4C091MM03 , 4C091NN01 , 4C091PA02 , 4C091PA05 , 4C091PB04 , 4C091PB05 , 4C091QQ01 , 4C091RR10 , 4C091SS01

引用特許：

出願人引用 (10件)

フォトレジスト組成物、その方法及びそれらを含有してなる工業製品
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-252064 出願人：シップレーカンパニーエルエルシー
化学増幅型レジスト組成物の酸発生剤用の塩
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-311244 出願人：住友化学株式会社
感光性耐食膜組成物および方法ならびに同組成物を含む工業製品
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-043762 出願人：シプレイ・カンパニー・リミテッド・ライアビリティー・カンパニー

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