特許

J-GLOBAL ID：200903013837150990

不揮発性半導体記憶装置及び半導体集積回路

発明者： 前田 茂伸 ,  國清 辰也 ,  松本 拓治
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-171793
公開番号（公開出願番号）：特開2001-351995
出願日： 2000年06月08日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：

【要約】【課題】 寄生バイポーラトランジスタの駆動に起因する誤動作が生じることのない不揮発性半導体記憶装置を得る。【解決手段】 同一行に属する全てのソース領域は、部分分離型の素子分離絶縁膜5の底面とBOX層3の上面との間に位置する部分のシリコン層4を介して、互いに電気的に接続されている。これにより、行方向に延在する帯状のソース線SL1〜SL5が構成されている。行方向に互いに隣接するソース領域同士(例えばソース領域Saとソース領域Sb)の間の素子分離絶縁膜5は除去されており、素子分離絶縁膜5の除去により露出した部分のシリコン層4内には、ソース領域と導電型が等しい不純物導入領域10が形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板、絶縁層、及び半導体層がこの順に積層されたSOI基板と、それぞれが、互いに離間して前記半導体層の主面内に形成されたソース領域及びドレイン領域、前記ソース領域と前記ドレイン領域とに挟まれる部分のボディ領域上に絶縁膜を介して形成された第1のゲート電極、及び、前記第1のゲート電極上に絶縁膜を介して形成された第2のゲート電極を有する、行列状に配置された複数のメモリセルトランジスタと、前記半導体層の前記主面内において、前記メモリセルトランジスタの前記ソース領域と前記ドレイン領域とが並ぶ方向に垂直な行方向に互いに隣接する前記メモリセルトランジスタ同士の間に形成された、前記絶縁層に達しない底面を有する素子分離絶縁膜と、前記半導体層内において、前記行方向に互いに隣接する前記メモリセルトランジスタがそれぞれ有する前記ソース領域同士の間に形成され、前記ソース領域と同一導電型の不純物導入領域とを備える不揮発性半導体記憶装置。

IPC (14件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 27/10 491 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (14件)：

H01L 27/08 331 E ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 27/10 491 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 27/04 A ,  H01L 27/04 D ,  H01L 27/08 102 B ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 29/78 613 B ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 616 T ,  H01L 29/78 621 ,  H01L 29/78 626 B

Fターム (81件)：

5F001AA01 ,  5F001AB08 ,  5F001AD44 ,  5F001AD60 ,  5F001AD70 ,  5F001AE02 ,  5F001AG40 ,  5F038BH19 ,  5F038CA02 ,  5F038CA03 ,  5F038CD04 ,  5F038CD19 ,  5F038DF01 ,  5F038DF05 ,  5F038DF08 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA03 ,  5F048AA04 ,  5F048AA05 ,  5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA12 ,  5F048BA16 ,  5F048BC03 ,  5F048BC19 ,  5F048BG05 ,  5F048BG11 ,  5F048BG12 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP27 ,  5F083EP62 ,  5F083EP67 ,  5F083EP77 ,  5F083ER02 ,  5F083ER05 ,  5F083ER09 ,  5F083ER22 ,  5F083GA12 ,  5F083GA23 ,  5F083GA24 ,  5F083GA30 ,  5F083HA02 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR36 ,  5F083ZA02 ,  5F083ZA05 ,  5F083ZA12 ,  5F110AA13 ,  5F110AA15 ,  5F110AA30 ,  5F110BB08 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE25 ,  5F110EE27 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG24 ,  5F110GG26 ,  5F110GG60 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HM02 ,  5F110HM12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-187580   出願人：新日本製鐵株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-233928   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置および半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-258602   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-123941   出願人：三菱電機株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-033036   出願人：株式会社東芝