特許

J-GLOBAL ID：200903013869274828

窒化物半導体レーザ装置の製造方法

発明者： 小河 淳
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 佐野 静夫 ,  山田 茂樹 ,  小寺 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-290532
公開番号（公開出願番号）：特開2005-064136
出願日： 2003年08月08日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】 レーザ出射位置の制御が容易で歩留まりの良好な窒化物半導体レーザ装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 ステム(601)の支持基体(102)にあらかじめハンダを付着させておき、その上に窒化物半導体レーザチップ(401)を搭載して、ハンダを溶融させて窒化物半導体レーザチップ(401)を支持基体(102)に固定する。支持基体(102)に付着させておくハンダの厚さは0.2μm以上かつ20μm以下とし、窒化物半導体レーザチップ(401)固定後のハンダの厚さは0.1μm以上かつ5μm以下とする。【選択図】 図6

請求項（抜粋）：

窒化物半導体レーザダイオードを支持部材に搭載した窒化物半導体レーザ装置の製造方法であって、ハンダにより窒化物半導体レーザダイオードを支持部材に固定するものにおいて、 支持部材のうち窒化物半導体レーザダイオードを搭載する部位に、厚さが0.2μm以上かつ20μm以下のハンダを付着させておき、該ハンダを溶融させて窒化物半導体レーザダイオードを固定することを特徴とする窒化物半導体レーザ装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01S5/022 ,  H01L21/52 ,  H01S5/323

FI (3件)：

H01S5/022 ,  H01L21/52 B ,  H01S5/323 610

Fターム (19件)：

5F047BA06 ,  5F047BA14 ,  5F047BA15 ,  5F047BA17 ,  5F047BA19 ,  5F047BB03 ,  5F047BB13 ,  5F047BB16 ,  5F073AA03 ,  5F073AA21 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073BA05 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073EA29 ,  5F073FA22 ,  5F073FA23

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-261919   出願人：日亜化学工業株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体発光装置、半導体発光装置用マウント部材および半導体発光装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-400335   出願人：シャープ株式会社
• 半導体レーザ素子の製造方法、配設基板および支持基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-347119   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭62-143496
  
• 特開昭62-143496