特許
J-GLOBAL ID：200903039250177932

半導体発光装置、半導体発光装置用マウント部材および半導体発光装置の製造方法

発明者：
森下 由紀子

森下 由紀子 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-400335
公開番号（公開出願番号）：特開2003-198038
出願日： 2001年12月28日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：
【要約】【課題】 半導体発光装置の寿命を長くし、信頼性を向上する。【解決手段】 半導体発光装置は、チップ基板401と前記チップ基板401の表面に窒化物系化合物半導体層を積層した積層体402とを含む半導体発光素子チップ430と、載置面を有するマウント部材410とを備え、前記半導体発光素子チップ430は、電極403を介して面接触することによって前記マウント部材410の前記載置面に接続されており、前記マウント部材410は、前記チップ基板401の材料より熱膨張係数が大きい材料を含み、前記載置面は、表面粗さのRmaxが4000Å以下であるかRaが500ÅRa以下であるかの少なくとも一方を満たす。
請求項（抜粋）：
チップ基板と前記チップ基板の表面に窒化物系化合物半導体層を積層した積層体とを含む半導体発光素子チップと、載置面を有するマウント部材とを備え、前記半導体発光素子チップは、電極を介して面接触することによって前記マウント部材の前記載置面に接続されており、前記マウント部材は、前記チップ基板の材料より熱膨張係数が大きい材料を含み、前記載置面は、表面粗さのRmaxが4000Å以下であるかRaが500ÅRa以下であるかの少なくとも一方を満たす、半導体発光装置。
IPC (2件)：
H01S 5/022 ,  H01S 5/323 610
FI (2件)：
H01S 5/022 ,  H01S 5/323 610
Fターム (11件)：
5F073AA13 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073CA07 ,  5F073CB22 ,  5F073CB23 ,  5F073EA28 ,  5F073FA14 ,  5F073FA15 ,  5F073FA16
引用特許：
審査官引用 (13件)
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