特許
J-GLOBAL ID：200903083797424615

半導体レーザ素子の製造方法、配設基板および支持基板

発明者：
小沢 正文

小沢 正文 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-347119
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168442
出願日： 1999年12月07日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 製造に要する時間を短縮することができ、かつ、加熱による性能劣化を防止することができる半導体レーザ素子の製造方法、その配設基板および支持基板を提供する。【課題手段】 レーザチップ20、サブマウント30およびヒートシンク40を重ね合わせて接着することにより半導体レーザ素子を形成する。レーザチップ20は、結晶基板21の同一面側にp側電極2aおよびn側電極2bを形成してなるものであり、サブマウント30は、支持体31の表裏面に表面半田膜3aおよび裏面半田膜3bを形成してなるものである。レーザチップ20、サブマウント30およびヒートシンク40を重ね合わせ、熱および圧力を加えることにより、表面半田膜3aおよび裏面半田膜3bが溶融し、レーザチップ20、サブマウント30およびヒートシンク40が一度に貼り合わされる。
請求項（抜粋）：
基体に半導体層を形成してなるレーザチップと、前記レーザチップを支持する支持基板と、これらの間に設けられた配設基板とを備えた半導体レーザ素子の製造方法であって、前記レーザチップ、前記配設基板および支持基板を一度に貼り合わせる工程を含むことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
Fターム (9件)：
5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073FA15 ,  5F073FA18 ,  5F073FA22 ,  5F073FA28 ,  5F073FA29 ,  5F073FA30
引用特許：
審査官引用 (10件)
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