特許
J-GLOBAL ID：200903013889453974
半導体装置及びそれを使用した電力変換装置並びにこの電力変換装置を用いたハイブリッド自動車。
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
鈴木 市郎
, 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-221918
公開番号（公開出願番号）：特開2006-041362
出願日： 2004年07月29日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：
【課題】 高温環境下でも長期信頼性が保持できるようにしたパワー半導体装置を提供すること。 【解決手段】 半導体素子101の電極と、配線基板となるセラミックス絶縁基板103の導体層102aを接続する導体状片201として、炭素とアルミニウムの複合材、或いは炭素と銅の複合材を用い、これにより、導体状片201の熱膨張係数と、セラミックス絶縁基板103の熱膨張係数の差を小さく抑え、且つ、これらの接合に5nmから数10μmの微細な粒径の、いわゆるナノサイズとミクロンサイズの金粒子と銀粒子を主成分とする混合物の接合層202a、202bを用い、接続部に生じる放熱性の確保と熱応力の緩和が得られるようにしたもの。 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体チップの一方の面と他方の面に主電流の入出力電極の一方と他方が各々取出されている半導体素子を用い、前記入出力電極の一方を絶縁基板の導体層に接合することにより、前記半導体素子が前記絶縁基板に支持されるようにした半導体装置において、
前記半導体チップの入出力電極の他方と前記絶縁基板の導体層の接続に、炭素とアルミニウム又は炭素と銅の複合材からなる導体条片を用いたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60
, H01L 25/07
, H01L 25/18
H01L21/60 321E
, H01L25/04 C
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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