特許
J-GLOBAL ID:200903013912593380

ランプ加熱装置および半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大前 要
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-273548
公開番号(公開出願番号):特開2006-093218
出願日: 2004年09月21日
公開日(公表日): 2006年04月06日
要約:
【課題】 熱処理条件の温度一定性および再現性が良好なランプ加熱装置を提供することを主要な目的とする。【解決手段】 ランプ加熱装置は、透明窓15を有し、アニールすべき基板1を収容するチャンバ30と、透明窓15を介して、その輻射熱により基板1を加熱する加熱ランプ5と、そのセンシング部6がチャンバ30内に設けられ、基板1の温度を光学的に検出する放射温度計と、チャンバ30の外部でラジカルを発生させ、該ラジカルをチャンバ30内に供給するラジカル発生部20と、透明窓15およびセンシング部6の表面の曇り状態より、チャンバ30内部をクリーニングする時期を判断する光量センサとを備え、基板1の加熱アニールとチャンバ30内部をクリーニングする、一連の動作を可能とする。【選択図】図1
請求項(抜粋):
透明窓を有し、基板を収容するチャンバと、 前記透明窓を介して、その輻射熱により前記基板を加熱する加熱ランプと、 そのセンシング部が前記チャンバ内に設けられ、前記基板の温度を光学的に検出する放射温度計と、 前記チャンバの外部でラジカルを発生させ、該ラジカルを前記チャンバ内に供給するラジカル供給手段と、 前記透明窓および前記センシング部の表面の曇り状態より、前記チャンバ内部をクリーニングする時期を判断する手段とを備え、 基板の加熱アニールとチャンバ内部をクリーニングする、一連の動作を可能としたランプ加熱装置。
IPC (1件):
H01L 21/26
FI (3件):
H01L21/26 G ,  H01L21/26 T ,  H01L21/26 F
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 熱処理方法及び装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-258123   出願人:アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
審査官引用 (12件)
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