特許
J-GLOBAL ID：200903013959232571
シリコン基板上に厚膜二酸化シリコン層を形成する方法、およびシリコン基板上の光導波路製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小宮 良雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-259051
公開番号（公開出願番号）：特開平10-101321
出願日： 1996年09月30日
公開日（公表日）： 1998年04月21日
要約：
【要約】【課題】基板であるSiの融点より低い加熱温度でしかも高圧の処理を必要としない厚膜なSiO2層をSi基板上に形成する方法、およびSi基板上に光導波路を製造する方法を提供する。【解決手段】Si基板1の表面を多孔2質化した後、Siの融点以下の温度に加熱しながら酸化してSi基板1上に厚膜SiO2層3を形成する。この厚膜SiO2層3をアンダークラッド層とし、その上にコア層4を形成してから導波パターン4aを残して残余の部分を除去し、コア層4の上にオーバークラッド層5を形成するることで光導波路が製造される。
請求項（抜粋）：
Si基板の表面を多孔質化した後、Siの融点以下の温度に加熱しながら酸化することを特徴とするシリコン基板上に厚膜二酸化シリコン層を形成する方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C01B 33/12 C
, G02B 6/12 M
