特許
J-GLOBAL ID：200903013965987835

プラズマ処理装置

発明者：
数見 秀之

数見 秀之 について

, 
前田 賢治

前田 賢治 について

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吉田 剛

吉田 剛 について

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尾山 正俊

尾山 正俊 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について

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株式会社日立ハイテクノロジーズ

株式会社日立ハイテクノロジーズ について


代理人 (2件)： 鈴木 市郎 ,  武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-152934
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356430
出願日： 2003年05月29日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：
【課題】メンテナンス周期を増大しして安定した処理を続行することのできるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】処理ガスの導入手段及び真空排気手段を備えた真空処理容器1と、前記真空処理容器の外周壁側に形成したシールド電極14と、高周波電力を前記真空処理容器内に放射するアンテナ電極51を備えた試料載置装置101とを備えたプラズマ処理装置であって、前記アンテナ電極51には第1の高周波電力を供給し、前記アンテナ電極51及び前記シールド電極15には前記第1の高周波電力よりも低周波の高周波電力を供給する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
処理ガスの導入手段及び真空排気手段を備えた真空処理容器と、 前記真空処理容器の外周壁側に形成したシールド電極と、 高周波電力を前記真空処理容器内に放射するアンテナ電極を備えた試料載置装置とを備えたプラズマ処理装置であって、 前記アンテナ電極には第1の高周波電力を供給し、前記アンテナ電極及び前記シールド電極には前記第1の高周波電力よりも低周波の高周波電力を供給することを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5件)：
H01L21/3065 ,  B01J3/00 ,  B01J19/08 ,  C23F4/00 ,  H05H1/46
FI (5件)：
H01L21/302 101D ,  B01J3/00 K ,  B01J19/08 H ,  C23F4/00 A ,  H05H1/46 L
Fターム (31件)：
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075CA25 ,  4G075CA47 ,  4G075CA65 ,  4G075DA02 ,  4G075EB01 ,  4G075EC21 ,  4G075EE01 ,  4G075FA01 ,  4G075FB04 ,  4G075FC15 ,  4K057DA01 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DE06 ,  4K057DE14 ,  4K057DE20 ,  4K057DM06 ,  4K057DM18 ,  4K057DM37 ,  4K057DM38 ,  4K057DN01 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB29 ,  5F004CA06 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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