銅のインターフェース導電性を向上させる方法およびその方法を用いて形成された銅導電体インターフェース

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-260021
公開番号（公開出願番号）：特開平10-116831
出願日： 1997年09月25日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】【課題】 IC表面に形成される銅のインターフェース導電性を向上させる方法を提供する。【解決手段】本発明による銅のインターフェース導電性を向上させる方法は、集積回路(IC)表面に設けられる銅(Cu)のインターフェース導電性を向上させる方法であって、選択された銅を形成する表面42は主に、該ICの選択された領域に設けられる導電性表面であり、該方法は、a)該選択された銅を形成する表面42を、低エネルギーのイオン源に曝す工程と、b)該工程a)の該イオン曝露に応じて、該銅を形成する表面42から汚染物質を取り除く工程と、c)CVD Cuを、該工程a)で曝露された該銅を形成する表面42に供給し、該工程a)の該イオン曝露によって、該堆積されたCu層48と該銅を形成する表面42との間の電気伝導性が向上する、工程と、を包含する。

請求項（抜粋）：

集積回路(IC)表面に設けられる銅(Cu)のインターフェース導電性を向上させる方法であって、選択された銅を形成する表面は主に、該ICの選択された領域に設けられる導電性表面であり、該方法は、a)該選択された銅を形成する表面を、低エネルギーのイオン源に曝す工程と、b)該工程a)の該イオン曝露に応じて、該銅を形成する表面から汚染物質を取り除く工程と、c)CVD Cuを、該工程a)で曝露された該銅を形成する表面に供給し、該工程a)の該イオン曝露によって、該堆積されたCuと該銅を形成する表面との間の電気伝導性が向上する、工程と、を包含する銅のインターフェース導電性を向上させる方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/88 M , H01L 21/90 A

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-010852 出願人：日本電信電話株式会社
特開平4-260323
金属導体と他の金属との間の反応を最小化する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-063303 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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