光起電力素子、光起電力素子の製造方法、光起電力素子製造装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：渡辺敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-204204
公開番号（公開出願番号）：特開2001-036114
出願日： 1999年07月19日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】成膜中にp層やn層のドーパントがi層中に熱的に拡散することを有効に防ぎ得る緩衝半導体層をpi界面、あるいはni界面に設け、太陽電池の出力特性、とりわけ開放電圧、フィルファクターを向上させることができる光起電力素子を提供する。【解決手段】光起電力素子が、非単結晶半導体層からなるp型半導体層をp、i型半導体層をi、およびn型半導体層をnとした場合に、基板上に少なくとも一つのnip接合またはpin接合からなる構造体を有し、かつn層とi層との間、または/およびi層とp層との間に、緩衝半導体層が設けられており、緩衝半導体層の少なくとも一方が、堆積工程を中断して基板温度を冷却して作成される。

請求項（抜粋）：

非単結晶半導体層からなるp型半導体層をp、i型半導体層をi、およびn型半導体層をnとした場合に、基板上に少なくとも一つのnip接合またはpin接合からなる構造体を有し、かつn層とi層との間、または/およびi層とp層との間に、緩衝半導体層が設けられており、緩衝半導体層の少なくとも一方が、一部が形成された後に基板が冷却され、その後に他の部分が形成されたものであることを特徴とする光起電力素子。

IPC (2件)：

H01L 31/04 , H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 31/04 B , H01L 31/10 A

Fターム (30件)：

5F049MA04 , 5F049MB05 , 5F049MB11 , 5F049NA01 , 5F049NA07 , 5F049NA18 , 5F049PA03 , 5F049PA15 , 5F049PA18 , 5F049PA20 , 5F049QA18 , 5F049SS01 , 5F049SS10 , 5F049WA09 , 5F051AA03 , 5F051AA04 , 5F051AA05 , 5F051AA16 , 5F051BA14 , 5F051BA15 , 5F051BA17 , 5F051CA15 , 5F051CA22 , 5F051CA24 , 5F051CA34 , 5F051CA36 , 5F051CB27 , 5F051DA04 , 5F051DA17 , 5F051GA05

引用特許：

出願人引用 (10件)

特開平3-038068
特開平3-101274
特開昭63-143877

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審査官引用 (10件)

特開平3-038068
特開平3-101274
特開昭63-143877

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