特許
J-GLOBAL ID：200903014052189566
III族窒化物半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-252380
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077414
出願日： 1999年09月07日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】低抵抗のp形III族窒化物半導体気相成長層を簡便に形成し、素子動作電流の拡散性に優れる高発光出力のIII族窒化物半導体発光素子を得る。【解決手段】p形不純物ドープIII族窒化物半導体層に、n形III族窒化物半導体層を引き続き気相成長させ低抵抗のp形III族窒化物半導体層を得る。また、n形III族窒化物半導体を利用して電流阻止機能を果たすpn接合を形成して素子動作電流を発光面に有効に拡散させる。
請求項（抜粋）：
p形III族窒化物半導体層上にp形オーミック電極とp形台座電極とが配置されている、pn接合型の発光部を有するIII族窒化物半導体発光素子において、p形III族窒化物半導体層を気相成長により成膜後、引き続き気相成長に依りn形III族窒化物半導体接合層が形成され、該n形III族窒化物半導体接合層がp形台座電極の射影領域を除いて除去され、p形オーミック電極が、p形III族窒化物半導体層と、n形III族窒化物半導体接合層と、p形台座電極に接して形成されていることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。
Fターム (11件)：
5F041AA03
, 5F041CA24
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA83
, 5F041CA84
, 5F041CA88
