特許
J-GLOBAL ID：200903003220729995

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
幡 俊雄

幡 俊雄 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-128452
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321913
出願日： 1997年05月19日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 透光性電極を通して、光を取り出す構造の発光素子において、発光効率が高く、発光領域全体で均一に発光する素子を提供する。【解決手段】 第1導電型窒化ガリウム系化合物半導体層、第2導電体型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層されている窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、第2導電型層表面に透光性電極が形成され、該透光性電極の上に透明導電体膜が形成されている窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供することによって上記問題を解決する。
請求項（抜粋）：
第1導電型窒化ガリウム系化合物半導体層、第2導電体型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層されている窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、第2導電型層表面に透光性電極が形成され、該透光性電極の上に透明導電体膜が形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (3件)：
H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
引用特許：
審査官引用 (8件)
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