半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-055946
公開番号（公開出願番号）：特開平8-171795
出願日： 1995年03月15日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：

【要約】【目的】セルフリフレッシュ機能を有する半導体記憶装置に関し、実際のメモリセルの電荷保持時間を反映したリフレッシュ間隔によりリフレッシュを行ってバッテリーの寿命を最大限に延ばすことを目的とする。【構成】リフレッシュタイミングを制御して複数のメモリセルのリフレッシュ処理を行う半導体記憶装置であって、電荷を保持するキャパシタ手段3と、該キャパシタ手段3をプリチャージする少なくとも1つのトランジスタを有するプリチャージ手段1と、温度上昇に伴って電流が増加する正の温度係数を有し、前記キャパシタ手段3に保持された電荷を流す電流源2とを具備し、該キャパシタ手段3の保持電圧の時間変化を利用して前記複数のメモリセルのリフレッシュ処理のタイミングを制御するように構成する。

請求項（抜粋）：

リフレッシュタイミングを制御して複数のメモリセルのリフレッシュ処理を行う半導体記憶装置であって、電荷を保持するキャパシタ手段(3)と、該キャパシタ手段をプリチャージする少なくとも1つのトランジスタを有するプリチャージ手段(1)と、温度上昇に伴って電流が増加する正の温度係数を有し、前記キャパシタ手段に保持された電荷を流す電流源(2)とを具備し、該キャパシタ手段の保持電圧の時間変化を利用して前記複数のメモリセルのリフレッシュ処理のタイミングを制御するようにしたことを特徴とする半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開昭61-193514
特開昭61-193514
特開昭59-191194

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