特許

J-GLOBAL ID：200903014059087408

光エネルギー変換装置及び半導体光電極

発明者： 徳江 潤也 ,  小林 直樹
出願人/特許権者： 国立大学法人 電気通信大学
代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  伊藤 仁恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-064575
公開番号（公開出願番号）：特開2007-239048
出願日： 2006年03月09日
公開日（公表日）： 2007年09月20日
要約：

【課題】光エネルギー変換装置における窒化物半導体を用いた半導体光電極の劣化防止を図る。【解決手段】互いに電気的に接続された半導体光電極15と対向電極16を有し、半導体光電極15が表面に酸化チタン膜19を成膜した窒化物半導体18で形成され、対向電極16及び半導体光電極15が溶液13中に配置されて成る。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

互いに電気的に接続された半導体光電極と対向電極を有し、 前記半導体光電極が表面に酸化チタン膜を成膜した窒化物半導体で形成され、 前記対向電極及び前記半導体光電極が溶液中に配置されて成る ことを特徴とする光エネルギー変換装置。

IPC (6件)：

C25B 11/06 ,  B01J 35/02 ,  H01L 31/08 ,  B01J 27/24 ,  C25B 9/00 ,  C25B 1/04

FI (6件)：

C25B11/06 B ,  B01J35/02 J ,  H01L31/08 ,  B01J27/24 M ,  C25B9/00 ,  C25B1/04

Fターム (36件)：

4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169BA48A ,  4G169BB11A ,  4G169BB11B ,  4G169BC50A ,  4G169BC50B ,  4G169CC31 ,  4G169CC33 ,  4G169EA07 ,  4G169FB14 ,  4G169HA01 ,  4G169HB01 ,  4G169HD05 ,  4G169HD07 ,  4G169HE09 ,  4K011AA04 ,  4K011AA20 ,  4K011AA66 ,  4K011CA13 ,  4K011DA01 ,  4K021AA01 ,  4K021BA02 ,  4K021BC08 ,  4K021DA13 ,  4K021DB18 ,  4K021DB31 ,  4K021DB40 ,  4K021DC03 ,  4K021EA03 ,  5F088AA02 ,  5F088AB01 ,  5F088AB07 ,  5F088AB17 ,  5F088CB20 ,  5F088DA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ガス発生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-215952   出願人：科学技術振興事業団

審査官引用 (3件)

• 特開昭50-115178
  
• 酸化チタン薄膜の製法並びに該薄膜を用いた光化学反応器の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-219992   出願人：株式会社日立製作所, 財団法人地球環境産業技術研究機構
• 可視光型光触媒及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-113147   出願人：有限会社環境デバイス研究所

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Semiconductor Electrodes