CMP用研磨剤

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：成瀬勝夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-192935
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023938
出願日： 1999年07月07日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】研磨微粒子の分散安定性に優れていて研磨微粒子の沈降や凝集、更には研磨微粒子による研磨布の目詰まりの問題を可及的に軽減でき、また、研磨対象金属に対するディッシングの心配もなく、しかも、工業的に実用可能な研磨速度を有するCMP用研磨剤を提供する。【解決手段】水酸化第四アンモニウム水溶液と珪酸エステル又はシリカとを反応させて得られたコロイド状シリカ生成物と酸化剤とを含有する、CMP用研磨剤である。

請求項（抜粋）：

水酸化第四アンモニウム水溶液と珪酸エステル又はシリカとを反応させて得られたコロイド状シリカ生成物と酸化剤とを含有することを特徴とするCMP用研磨剤。

IPC (6件)：

H01L 21/304 622 , B24B 37/00 , C09K 3/14 550 , C09K 3/14 , C09K 13/00 , H01L 21/306

FI (6件)：

H01L 21/304 622 D , B24B 37/00 H , C09K 3/14 550 D , C09K 3/14 550 Z , C09K 13/00 , H01L 21/306 M

Fターム (10件)：

3C058AA07 , 3C058CB02 , 3C058CB03 , 3C058CB10 , 3C058DA02 , 3C058DA12 , 5F043AA22 , 5F043BB15 , 5F043DD16 , 5F043DD30

引用特許：

審査官引用 (6件)

銅系金属用研磨液および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-135038 出願人：株式会社東芝
特開昭61-209909
特開昭61-209909

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