特許
J-GLOBAL ID：200903014128464782

犠牲膜のエッチング方法およびその装置

発明者：
小柳 哲雄

小柳 哲雄 について


出願人/特許権者：
アイシーエフ株式会社

アイシーエフ株式会社 について


代理人 (2件)： 佐野 章吾 ,  寒川 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-012434
公開番号（公開出願番号）：特開2005-205511
出願日： 2004年01月20日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：
【課題】犠牲膜をドライエッチングして、 MEMSデバイスの構成体を形成するエッチング技術を提供する。【解決手段】シリコン基板上に犠牲膜を形成する段階、前記犠牲膜をパターニングする段階、前記パターニングされた犠牲膜上にMEMSデバイスの構成体となる膜を積層する段階、前記MEMSデバイスの構成体となる膜をパターニングする段階を経て構成されたMEMS基材Wを、エッチング処理室1内において常温〜300°Cの範囲内の所定の温度に保持するとともに、1Kpa〜15Kpaの範囲内の所定の減圧下に保持した状態で、HFベーパに曝すことにより、前記犠牲膜をドライエッチングする。これにより、コンデンシングの起こらない条件下でエッチングでき、ウエットエッチング方式で生じるようなスティッキング現象を起こすことなく、犠牲膜をエッチングできる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
MEMSデバイスを形成する際の犠牲膜をエッチングする方法であって、 犠牲膜が形成されたMEMS基材を、常温〜300°Cの範囲内の所定の温度下でかつ1Kpa〜15Kpaの範囲内の所定の減圧下に保持した状態でHFベーパに曝すことにより、前記犠牲膜をドライエッチングする ことを特徴とする犠牲膜のエッチング方法。
IPC (1件)：
B81C1/00
FI (1件)：
B81C1/00
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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