誘電体分離半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-210436
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064167
出願日： 1995年08月18日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【目的】単結晶シリコン支持基板を有する誘電体分離半導体装置で、単結晶島間の容量結合による影響をなくす構造を提供する。【構成】半導体素子を形成するための単結晶島A1,A2を誘電体層Dで分離し第1の支持体B1中に形成し、さらに単結晶シリコンを使った第2の支持体B2を酸化膜Eを介して第1の支持体B1と接合し、このような構成の誘電体分離基板Hを固定する導電性台座Gを通じ単結晶支持体の酸化膜未形成面から電位固定することを特徴とする半導体素子。【効果】誘電体分離基板の単結晶シリコン支持体側から電位固定を行うため、低抵抗で単結晶島近傍の電位を固定することができ、単結晶島間の容量結合による影響を防ぐことができる。

請求項（抜粋）：

誘電体層により分離される複数の単結晶島領域と、単結晶島を支持する第1の支持体と、第1の支持体と酸化膜を介して接合される単結晶の第2の支持体と、を備え、第2の支持体の単結晶露出面を固定電位に接続することを特徴とする誘電体分離半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/762 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 21/76 D , H01L 27/04 H

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-293740 出願人：富士電機株式会社
特開昭63-062252
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-296786 出願人：株式会社日立製作所

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