誘電体層の反応性形成および有機半導体デバイスにおける有機層の保護

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-512653
公開番号（公開出願番号）：特表2003-525521
出願日： 2000年07月21日
公開日（公表日）： 2003年08月26日
要約：

【要約】1つの実施形態において、半導体デバイスを作製する方法は、以下の工程を包含する:a)有機半導体層を提供する工程;b)反応性種をこの有機半導体層の一部に堆積させる工程;c)この反応性種をこの有機層の一部と反応させ、誘電層を形成する工程。別の実施形態においては、半導体デバイスを作製する方法は、以下の工程を包含する:a)有機半導体層を提供する工程;b)この有機半導体層の表面を放射線に露光し、誘電層を形成する工程。別の実施形態において、トランジスタを作製する方法は、以下の工程を包含する:a)ゲート電極に隣接して有機半導体層を提供する工程;b)電気化学的セルを提供する工程であって、このゲート電極が、この電気化学的セルの1つの電極である、工程;c)このゲート電極に電圧を印加して電気化学反応を起こし、ゲート誘電を、このゲート電極とこの有機半導体層との間に形成する工程。

請求項（抜粋）：

電子デバイス中の有機層を保護する方法であって、 (a)有機層(810;910)を提供する工程を包含し、該方法は、 (b)該有機層(810;910)に隣接するバリア層(890;990)を提供する工程であって、該バリア層は溶媒に対して耐性である、工程、および (c)該溶媒と該有機層(810;910)に隣接する層形成材料(820;902)とを含む溶液または分散物を提供する工程を特徴とする、方法。

IPC (5件)：

H01L 51/00 , H01L 21/312 , H01L 21/336 , H01L 29/43 , H01L 29/786

FI (7件)：

H01L 21/312 A , H01L 29/28 , H01L 29/62 G , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 618 A , H01L 29/78 617 V , H01L 29/78 617 J

Fターム (47件)：

4M104AA10 , 4M104BB01 , 4M104BB09 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD32 , 4M104DD51 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104FF16 , 4M104FF17 , 4M104GG09 , 4M104HH20 , 5F058AB10 , 5F058AD01 , 5F058AF10 , 5F058AH01 , 5F110AA16 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE08 , 5F110EE41 , 5F110FF02 , 5F110FF21 , 5F110GG05 , 5F110GG41 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK31 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN32 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110QQ06

引用特許：

審査官引用 (7件)

薄膜トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-234113 出願人：シャープ株式会社
表示素子の照明方法及び液晶表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-167996 出願人：日東電工株式会社
カプセル化された電気泳動表示装置のための用途
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-508030 出願人：イー-インクコーポレイション

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