特許
J-GLOBAL ID：200903014165221806

横方向に成長したナノチューブとその形成方法

発明者：
オーロースキー、マリウス ケイ.

オーロースキー、マリウス ケイ. について

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ラウフ、シャヒード

ラウフ、シャヒード について

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ベンツェック、ピーター エル. ジー.

ベンツェック、ピーター エル. ジー. について


出願人/特許権者：
フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド

フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 桑垣 衛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-542309
公開番号（公開出願番号）：特表2009-510800
出願日： 2006年09月27日
公開日（公表日）： 2009年03月12日
要約：
半導体装置(10)は、例えば、炭素などのナノチューブから形成される横方向導体又は配線を備える。犠牲層(16)は、基板(12)の上方に形成される。誘電体層(18)は、犠牲層の上方に形成される。横方向開口(34)は、二つの金属性触媒柱の間に位置する誘電体層の一部と犠牲層とを除去することによって形成される。横方向開口は、首部分と、ナノチューブを成長させる制約スペースとして用いられる空洞部分とを含む。プラズマ(36)は、ナノチューブの形成方向を制御する電場を形成する電荷を加えるために用いられる。ナノチューブ(42,44)は、各金属性触媒柱から横方向に成長すると共に、隣接するか、或いは一つのナノチューブに合体する。ナノチューブは、首部分(24)又は金属性触媒柱(20,22)と接触することができる。
請求項（抜粋）：
ナノチューブを横方向に成長させる方法であって、 二つの金属性触媒の間に延びる横方向開口を形成するステップであって、前記横方向開口は首部分と空洞部分とを備えるステップと、 二つの前記金属性触媒の間に連続性横方向電気導体を形成すべく、前記各金属性触媒から半径方向にナノチューブを成長させる制約スペースとして、前記横方向開口の前記空洞部分を用いるステップと を備える方法。
IPC (7件)：
H01L 21/285 ,  C01B 31/02 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  B82B 3/00 ,  B82B 1/00 ,  H01L 21/28
FI (7件)：
H01L21/285 C ,  C01B31/02 101F ,  H01L21/88 M ,  B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  H01L21/28 301Z ,  H01L21/88 B
Fターム (47件)：
4G146AA11 ,  4G146AB07 ,  4G146AD22 ,  4G146AD30 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC16 ,  4G146BC25 ,  4G146BC43 ,  4G146BC44 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB36 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  5F033HH00 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH16 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033PP00 ,  5F033PP06 ,  5F033PP12 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ18 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ41 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033XX10
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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