特許
J-GLOBAL ID：200903014213843873

高電圧MOSトランジスタ装置

発明者：
ルディクホイゼ アドリアヌス ウィレム

ルディクホイゼ アドリアヌス ウィレム について


出願人/特許権者：
コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ

コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ について


代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-528562
公開番号（公開出願番号）：特表2000-505955
出願日： 1997年09月26日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：
【要約】わずかにドーピングされたドレイン延長部と、通常のインターディジタルソース/ドレイン構造とを有するHV-MOSTでは、高電流値でブレークダウン電圧が生ぜしめられ、SOAR(安全動作領域)が小さくなるおそれがある。本発明は特に、高電流値では、ドレインの指状領域の端面で、電流集中やこれにともなうカーク効果の為にブレークダウンが生じるという認識に基づくものである。トランジスタのSOARを広げる為に、ソースの指状領域(4)を局部的に中断させることにより、ドレインの指状領域(5,6)の先端(8)が作用しないようにする。最適な実施例では、ソースの指状領域(4)をドレイン指状領域(5,6)よりも短くする。
請求項（抜粋）：
表面に隣接する第1導電型の層状領域を有する半導体本体を具える半導体装 置であって、前記層状領域には高電圧MOSTが設けられ、この高電圧MOS Tは、表面に隣接する、前記第1導電型とは反対の第2導電型のソース領域と 、表面に隣接し、中間のチャネル領域によって前記ソース領域から分離されて いる第2導電型のドレイン領域とを有し、このドレイン領域は、チャネル領域 からある距離に位置する多量にドーピングされた表面領域と、ドレイン延長部 を構成し、前記表面領域に接続され、チャネル領域まで延在するわずかにドー ピングされた領域とを有し、トランジスタの前記ソース領域及びドレイン領域 は、互いに隣り合って位置する第2導電型の少なくとも3つの細長状領域を具 えるインターディジタル構造を有し、前記少なくとも3つの細長状領域のうち 中央の領域がドレイン領域の一部を構成するとともに少なくとも1つの端面を 有し、この中央の領域の両側に位置する2つの最外側の領域の各々がソース領 域の一部を構成している半導体装置において、 前記最外側の領域が前記中央の領域に沿ってこの中央の領域の長手方向に対 しほぼ平行に延在するとともに、前記中央の領域の前記端面の位置で第1導電 型の層状領域の一部分によって互いに分離されていることを特徴とする半導体 装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 W ,  H01L 29/78 301 S
引用特許：
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM