特許
J-GLOBAL ID：200903014220569043

シリコンエピタキシャルウェーハとその製造方法

発明者：
末岡 浩治

末岡 浩治 について

, 
小池 康夫

小池 康夫 について

, 
定光 信介

定光 信介 について


出願人/特許権者：
住友シチックス株式会社

住友シチックス株式会社 について


代理人 (1件)： 押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-193204
公開番号（公開出願番号）：特開平11-021200
出願日： 1997年07月02日
公開日（公表日）： 1999年01月26日
要約：
【要約】【課題】 デバイス製造工程においてゲッタリングに必要な密度の酸素析出物が基板中に形成され、デバイス製造工程において酸素析出物によるスリップ転位を発生し難いエピタキシャルウェーハとその製造方法の提供。【解決手段】 比抵抗が10mΩcm以上で酸素濃度が12×1017atoms/cm3以上のシリコンウェーハに対して、開始温度が500°C〜600°C、終了温度が800°C〜900°Cで昇温レートが5°C/分以下のランピング熱処理を施した後、エピタキシャル成膜を行う。
請求項（抜粋）：
基板の比抵抗値が10mΩcm以上で、5×104個/cm2以上の酸素析出物を含有し、デバイス製造工程で1100°C以上の熱処理を加えた際に酸素析出物によるスリップの発生がないことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。
IPC (2件)：
C30B 33/04 ,  H01L 21/322
FI (2件)：
C30B 33/04 ,  H01L 21/322 Y
引用特許：
出願人引用 (9件)
  • 特開昭57-021825
  • 特開平3-185831
  • 気相成長装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-298188   出願人：コマツ電子金属株式会社, 株式会社小松製作所
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審査官引用 (14件)
  • 特開昭57-021825
  • 特開昭57-021825
  • 特開平3-185831
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