半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： , , ,
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-363708
公開番号（公開出願番号）：特開2003-165514
出願日： 2001年11月29日
公開日（公表日）： 2003年06月10日
要約：

【要約】【課題】キャリアテープのエンボス穴の底部に形成された穴部の外周部にバリが形成されている場合でも、エンボス穴内に収納された半導体装置の外観検査を安定して行う。【解決手段】キャリアテープ1を穴部2の開口部を下に向けてガイドレール6上に配置し、穴部2内にてダイオードパッケージ4をカバーテープ5によって保持し、光源9よりダイオードパッケージ4へ向かって光を照射した状況下でカメラ8によりダイオードパッケージ4の外観を撮像する。

請求項（抜粋）：

(a)第1穴部を有し、前記第1穴部の底部には第2穴部が形成され、前記第1穴部内に半導体装置が収納され、前記第1穴部の開口部がカバーテープによって覆われたキャリアテープを用意する工程、(b)前記キャリアテープを前記第1穴部の開口部が下向きになるようにしてガイドレール上に配置する工程、(c)前記(b)工程後、前記第1穴部の開口部より前記半導体装置へ光を照射した状況下で前記第1穴部の開口部の方向から前記半導体装置の外観を検査する工程、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

B65B 57/10 , B65D 85/86

FI (2件)：

B65B 57/10 D , B65D 85/38 P

Fターム (11件)：

3E096AA06 , 3E096BA09 , 3E096BB08 , 3E096CA15 , 3E096DA04 , 3E096DA17 , 3E096DA18 , 3E096DB04 , 3E096EA04X , 3E096EA04Y , 3E096FA11

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体素子の検査装置及びエンボスキャリアテープ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-275887 出願人：新日本無線株式会社
外観検査用照明装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-217899 出願人：ソニー株式会社
半導体装置用キャリアテープ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-304566 出願人：ソニー株式会社

全件表示

前のページに戻る