特許
J-GLOBAL ID：200903014238102177

フォトレジスト用高分子化合物の製造法

発明者：
渡邊 仁志

渡邊 仁志 について

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早水 秀隆

早水 秀隆 について

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岸村 昌明

岸村 昌明 について


出願人/特許権者：
ダイセル化学工業株式会社

ダイセル化学工業株式会社 について


代理人 (2件)： 後藤 幸久 ,  壬生 優子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-192082
公開番号（公開出願番号）：特開2006-274276
出願日： 2006年07月12日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：
【課題】 不純物含有量の極めて少ないフォトレジスト用高分子化合物を効率よく製造できる方法を提供する。【解決手段】 本発明のフォトレジスト用高分子化合物の製造法は、ラクトン骨格を含む単量体(a)及びヒドロキシル基を有する脂環式骨格を含む単量体(c)から選択された少なくとも1種の単量体に対応する繰り返し単位と、酸により脱離してアルカリ可溶性となる基を含む単量体(b)に対応する繰り返し単位とを有するフォトレジスト用高分子化合物を製造する方法であって、単量体混合物の重合により生成したポリマーを沈殿又は再沈殿させる沈殿精製工程において、沈殿又は再沈殿に用いる貧溶媒として混合溶媒を用いることを特徴とする。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
ラクトン骨格を含む単量体(a)及びヒドロキシル基を有する脂環式骨格を含む単量体(c)から選択された少なくとも1種の単量体に対応する繰り返し単位と、酸により脱離してアルカリ可溶性となる基を含む単量体(b)に対応する繰り返し単位とを有するフォトレジスト用高分子化合物を製造する方法であって、単量体混合物の重合により生成したポリマーを沈殿又は再沈殿させる沈殿精製工程において、沈殿又は再沈殿に用いる貧溶媒として混合溶媒を用いることを特徴とするフォトレジスト用高分子化合物の製造法。
IPC (2件)：
C08F 220/10 ,  C08F 6/00
FI (2件)：
C08F220/10 ,  C08F6/00
Fターム (12件)：
4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA03R ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC53P ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100FA18 ,  4J100GC35 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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