ポジ型化学増幅レジスト及びそのパターン形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-236106
公開番号（公開出願番号）：特開2002-049157
出願日： 2000年08月03日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】露光光として波長が220nm以下の遠紫外光を使用するポジ型化学増幅レジストであって、パターン倒れ及びパターン崩れを防止でき、基板密着性が優れたポジ型化学増幅レジスト及びそのパターン形成方法を提供する。【解決手段】ポジ型化学増幅レジストに、ステロイド系化合物からなるレジストパターンの形状改善剤をポジ型化学増幅レジスト中のレジスト用樹脂100重量部に対して0.5乃至8重量部含有させる。ステロイド系化合物として、例えば、コール酸エステル等がある。

請求項（抜粋）：

露光により酸を発生する光酸発生剤と、酸分解性基を含有し酸により前記酸分解性基が分解してアルカリ水溶液への溶解度が増大するレジスト用樹脂と、ステロイド系化合物からなるレジストパターンの形状改善剤と、を有し、前記形状改善剤を前記レジスト用樹脂100重量部に対して0.5乃至8重量部含有することを特徴とするポジ型化学増幅レジスト。

IPC (6件)：

G03F 7/039 601 , C08K 5/00 , C08K 5/10 , C08L 33/14 , G03F 7/004 501 , H01L 21/027

FI (6件)：

G03F 7/039 601 , C08K 5/00 , C08K 5/10 , C08L 33/14 , G03F 7/004 501 , H01L 21/30 502 R

Fターム (20件)：

2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BE10 , 2H025BF02 , 2H025BG00 , 2H025CB43 , 2H025CC20 , 4J002BG071 , 4J002EB007 , 4J002EH136 , 4J002EN137 , 4J002EQ017 , 4J002EV297 , 4J002EW177 , 4J002GP03

引用特許：

審査官引用 (8件)

遠紫外線露光用フォトレジスト組成物およびその使用方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-128606 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
ポジ型感光性樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-229791 出願人：富士写真フイルム株式会社
化学増幅型陽性フォトレジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-202428 出願人：コーリアクンホペトロケミカルカンパニー・リミテッド

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