特許
J-GLOBAL ID：200903014284096289

MOS電界効果トランジスタとその製造方法

発明者：
藤田 光一

藤田 光一 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (2件)： 河宮 治 ,  竹内 三喜夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-114982
公開番号（公開出願番号）：特開2005-302914
出願日： 2004年04月09日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：
【課題】 コンタクト抵抗を低くできかつ接合容量を小さくできる電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】 第1の導電型のソース領域と第1の導電型のドレイン領域の間に絶縁層を介してゲート電極が形成された第2の導電型の半導体基板を備え、ソース領域とドレイン領域にそれぞれソース電極とドレイン電極が形成されてなるMOS型電界効果トランジスタであって、ドレイン電極は、複数のドレインコンタクト電極からなり、そのドレインコンタクト電極はそれぞれ、ドレイン領域に形成された凹部の表面とオーミック接触するように形成される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
第1の導電型のソース領域と第1の導電型のドレイン領域の間に絶縁層を介してゲート電極が形成された第2の導電型の半導体基板を備え、前記ソース領域と前記ドレイン領域にそれぞれソース電極とドレイン電極が形成されてなるMOS型電界効果トランジスタであって、 前記ドレイン電極は、複数のドレインコンタクト電極からなり、 そのドレインコンタクト電極はそれぞれ、前記ドレイン領域に形成された凹部の表面とオーミック接触するように形成されたことを特徴とするMOS型電界効果トランジスタ。
IPC (6件)：
H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417
FI (6件)：
H01L29/78 301X ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/78 301Y ,  H01L29/50 M ,  H01L29/44 L ,  H01L21/90 C
Fターム (46件)：
4M104AA01 ,  4M104BB06 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD16 ,  4M104DD26 ,  4M104FF17 ,  4M104FF22 ,  4M104FF27 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN13 ,  5F033NN34 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033XX07 ,  5F140AA10 ,  5F140AA12 ,  5F140AB01 ,  5F140BA01 ,  5F140BF51 ,  5F140BH02 ,  5F140BH07 ,  5F140BH09 ,  5F140BH10 ,  5F140BH17 ,  5F140BH30 ,  5F140BH50 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ27 ,  5F140BJ28 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK25 ,  5F140CC03
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体素子の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-401596   出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター
審査官引用 (6件)
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