半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：宮田金雄 , 高瀬彌平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-238422
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079800
出願日： 2002年08月19日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】高周波帯域で高出力動作可能なドレイン容量の小さい半導体装置を得る。【解決手段】半導体装置を、半導体基板と、半導体基板上に絶縁膜を介して設けられたゲート電極3と、第1の低濃度不純物拡散層およびドット形状を呈する第2の高濃度不純物拡散層45がゲート電極3に平行に複数箇所配置されたドレイン領域と、第2の高濃度不純物拡散層45上にドット形状の各辺に対して所定間隔内側に設けられたドット形状のコンタクトホール53を有する層間絶縁膜9aと、ドレイン領域においてドット形状のコンタクトホール53を埋め込みながら層間絶縁膜9a上に形成されたドレイン用金属配線と、第3の不純物拡散層41からなるソース領域と、で構成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、前記ゲート電極の一方の側の半導体基板内に形成された第1の低濃度不純物拡散層および前記第1の低濃度不純物拡散層の内側に設けられ前記第1の低濃度不純物拡散層より高い不純物濃度を有し前記半導体基板の主面に投影された形状がドット形状を呈する第2の高濃度不純物拡散層が前記ゲート電極に平行な方向に複数箇所配置されたドレイン領域と、前記第2の高濃度不純物拡散層上に前記ドット形状の各辺に対して所定間隔内側に設けられたドット形状のコンタクトホールを有する層間絶縁膜と、前記ドレイン領域において前記ドット形状のコンタクトホールを埋め込みながら前記層間絶縁膜上に形成されたドレイン用金属配線と、前記ゲート電極の他方の側の半導体基板内に形成された第3の不純物拡散層からなるソース領域と、を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L29/78

FI (1件)：

H01L29/78 301D

Fターム (24件)：

5F140AA01 , 5F140AA12 , 5F140AC21 , 5F140BA01 , 5F140BA16 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF53 , 5F140BH03 , 5F140BH08 , 5F140BH19 , 5F140BH30 , 5F140BH49 , 5F140BJ05 , 5F140BJ23 , 5F140BJ25 , 5F140BJ27 , 5F140BK13 , 5F140BK25 , 5F140CA03 , 5F140CB01 , 5F140CB02 , 5F140CC12

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平3-225963
高耐圧用トランジスタを有する半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-039027 出願人：ソニー株式会社
特開昭62-092471

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