不揮発性メモリにおける部分的ブロックデータのプログラミング動作および読出し動作

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井ノ口壽
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-558275
公開番号（公開出願番号）：特表2004-533029
出願日： 2002年01月07日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：

同じブロックまたは別のブロックのいずれかのブロックの未使用ページに新しいデータをプログラムすることにより、不揮発性メモリブロックのページのすべてよりも少ないページ数のデータが更新される。無変化のデータページを新しいブロックの中へコピーしたり、置換されたデータページの中へフラグをプログラムしたりする必要がないようにするために、この新しいデータページは、置換されたデータページと同じ論理アドレスにより特定され、各ページがいつ書込まれたかを記すタイムスタンプが付加される。上記データを読出すとき、最新のデータページが使用され、旧い置換されたデータページは無視される。この技法は、上記ユニットのうちの1ユニット内の単一の未使用ブロックに更新されるすべてのページを向けることにより、メモリアレイのいくつかの異なるユニットの各々から得られる1ブロックを含むメタブロックにも適用される。

請求項（抜粋）：

原データと置換データとを不揮発性メモリシステムに同時に格納する方法において、前記原データと置換データとを同じ論理アドレスにより特定するステップと、前記原データと置換データとをメモリの中へプログラムした相対的時刻を追跡することにより、前記原データと前記置換データとを識別するステップと、を有することを特徴とする方法。

IPC (3件)：

G06F12/02 , G06F12/00 , G11C16/02

FI (5件)：

G06F12/02 510A , G06F12/02 570A , G06F12/00 597U , G11C17/00 612F , G11C17/00 601E

Fターム (7件)：

5B025AD04 , 5B025AD08 , 5B025AE05 , 5B025AE08 , 5B060AA06 , 5B060AA08 , 5B060AA14

引用特許：

審査官引用 (4件)

フラッシュメモリを利用した記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-242124 出願人：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社
半導体ディスク装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-028287 出願人：三菱電機株式会社
一括消去型不揮発性メモリおよびそれを用いる半導体ディスク装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-035228 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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