特許
J-GLOBAL ID：200903098663568359
フラッシュメモリを利用した記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-242124
公開番号（公開出願番号）：特開平10-091490
出願日： 1996年09月12日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：
【要約】【課題】 NAND型のフラッシュメモリにおいてもデータ更新を短時間で行なえるようにする。【解決手段】 データを格納するためのデータエリア5と、該データエリアの各々に対応付けられ、上記データエリア個々の論理アドレスを格納するアロケーションエリア6と、該エリア6に格納された論理アドレスの格納履歴情報を格納する履歴情報エリア7とをフラッシュメモリ3内に形成する。
請求項（抜粋）：
データを格納するための複数のデータエリアと、該データエリアの各々に対応付けられ、上記データエリア個々の論理アドレスを格納するための複数のアロケーションエリアと、上記各データエリアに対応付けられ、各データエリアと対応する上記アロケーションエリアに格納された論理アドレスの格納履歴情報を格納するための複数の履歴情報エリアとをフラッシュメモリ内に形成したことを特徴とするフラッシュメモリを利用した記憶装置。
IPC (2件)：
G06F 12/00 510
, G11C 16/06
G06F 12/00 510 A
, G11C 17/00 510 A
, G11C 17/00 530 C
