特許
J-GLOBAL ID：200903014358059313
プラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-076958
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311975
出願日： 2004年03月17日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】プラズマを用いてフッ素添加カーボン膜を成膜するにあたり、原料ガス例えばC5F8ガスの分子結合を適度に分解してCF結合の長い連鎖構造を得、これにより低い誘電率でリーク電流の小さい優れた層間絶縁膜を成膜する。【解決手段】真空チャンバ1の上面開口部34を誘電体で塞ぎその上面側に平面アンテナ部材42を設ける。この平面アンテナ部材42の上面側に同軸導波管44を設け、この導波管にマイクロ波発生手段45を接続する。平面アンテナ部材42には、同心円状に例えばマイクロ波の半波長の長さのスリットを多数設け、これらスリットから例えば円偏波としてマイクロ波を処理雰囲気に放射して原料ガスをプラズマ化し、平均自乗速度で定義した電子温度が3eV以下であり、かつ電子密度が5×1011個/cm3以上となるプラズマを発生させフッ素添加カーボン膜を成膜する。この場合プロセス圧力を19.95Pa以下に設定してプロセスを行うことが好ましい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
気密な処理容器内の載置部に載置された基板に対し、原料ガスをプラズマ化したプラズマにより絶縁膜を成膜する方法において、
原料ガス供給口と前記基板の表面との間のプラズマ発生空間における平均自乗速度で定義した電子温度が3eV以下であり、かつ電子密度が5×1011個/cm3以上であることを特徴とするプラズマ成膜方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/312 A
, H01L21/31 C
5F045AA08
, 5F045AB39
, 5F045AC07
, 5F045AE19
, 5F045AF03
, 5F045BB16
, 5F045DP03
, 5F045DQ10
, 5F045EH02
, 5F045EH04
, 5F058AA10
, 5F058AC05
, 5F058AF02
, 5F058AH02
出願人引用 (1件)
-
プラズマ成膜方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-343998
出願人：東京エレクトロン株式会社
審査官引用 (3件)
前のページに戻る
