特許
J-GLOBAL ID：200903014396372769
高抵抗磁区制御膜を用いた磁界センサー、および磁気ヘッド並びに磁気記録再生装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-210704
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026426
出願日： 2000年07月06日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：
【要約】【課題】膜面に垂直な方向に信号検知電流を流す形式の磁界センサーにおいて信号再生時の分解能を高め、該磁界センサーを用いた磁気ヘッド並びに磁気記録再生装置を提供する。【解決手段】基板と、下部磁気シールド層と上部磁気シールド層からなる一対の磁気シールド層と、該一対の磁気シールド間に配置された磁気抵抗効果素子膜と、該磁気抵抗効果素子膜面に垂直な方向に信号電流を流すための電極端子と、前記磁気抵抗効果素子膜のバルクハウゼンノイズを抑制するための磁区制御膜とを備えた磁界センサーにおいて、該磁気抵抗効果素子膜両端位置に接して配された磁区制御膜を、10mΩcm以上の比抵抗をもつ、高抵抗率材料によって構成することにより再生分解能の優れた磁界センサーを得ることができ、同センサーを用いることにより再生分解能の優れた磁気ヘッド並びに磁気記録再生装置を提供することができた。
請求項（抜粋）：
基板と、下部磁気シールド層と上部磁気シールド層からなる一対の磁気シールド層と、該一対の磁気シールド間に配置された磁気抵抗効果素子膜と、該磁気抵抗効果素子膜面に垂直な方向に信号電流を流すための電極端子と、前記磁気抵抗効果素子膜のバルクハウゼンノイズを抑制するための磁区制御膜を備えた磁界センサーにおいて、該磁気抵抗効果素子膜の媒体対向面側端面から素子高さ位置に至る領域において該磁気抵抗効果素子膜両脇位置に配された前記磁区制御膜が、その比抵抗が10ミリオームセンチメートル以上の材料からなり、前記領域において少なくとも前記磁気抵抗効果素子膜両脇端面に直接接していることを特徴とする磁界センサー。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, G01R 33/06 R
2G017AA08
, 2G017AB01
, 2G017AB07
, 2G017AC01
, 2G017AC07
, 2G017AD55
, 5D034AA02
, 5D034BA03
, 5D034BA08
, 5D034BA12
, 5D034BA18
, 5D034BB08
, 5D034CA04
